【摘 要】
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设计一种低电压低温漂的基准电流源。首先通过带隙基准电路得到一个基准电压yner，对输出管进行温度补偿。电压VREF接到一个NMOS输出管的栅极上，调节yRE，使得这个输出管工作在零
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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设计一种低电压低温漂的基准电流源。首先通过带隙基准电路得到一个基准电压yner，对输出管进行温度补偿。电压VREF接到一个NMOS输出管的栅极上，调节yRE，使得这个输出管工作在零温漂区。这时输出管的阈值电压和迁移率随温度的变化率相互补偿，从而产生一个与温度无关的基准电流IREF。电路采用CSMC0．5μmDPTMCMOS工艺制造。通过流片验证，该电路输出管的零温漂点为（IZTC=215．4μA，VZTC=1．2444V），在-45～＋125℃的范围内温度系数为8．1ppm／℃，在2V的电源电压下整个电路
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