【摘 要】
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为了发展未来的磁数据存储技术,产生局部的超快磁场是根本.迄今为止,将电流脉冲注入到微型线圈和微型带状线中[～6],以及用高能电子束[7]已实现亚纳秒磁场状态的激发.已提出通
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为了发展未来的磁数据存储技术,产生局部的超快磁场是根本.迄今为止,将电流脉冲注入到微型线圈和微型带状线中[～6],以及用高能电子束[7]已实现亚纳秒磁场状态的激发.已提出通过全金属结的自旋极化电流局部注入[8,9]做磁开关元件的有效方法,而且似乎已获得验证[10～13].在混合型铁磁半导体结构中已观测到自旋注入[14,15].这里介绍在这种混合结构中几种产生局部超快磁场的方案,其基本元件是用聚焦约150fs激光脉冲光抽运的肖特基二极管.激光脉冲在半导体-金属结产生电流,转而在平面内产生磁场.这种方案结合了局部电流注入技术[11～13,16]和在肖特基势垒上产生快速电流.主要特点包括能在样品平面上沿任何方向快速产生局部场,能通过许多磁元件扫描该磁场,以及能以二极管偏压调谐磁场幅度.
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