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利用红外激光光弹测量系统和森纳蒙特补偿法，测量了硅中的氧化应力；研究了中间退火和后退火条件对硅中氧化应力的影响，以及氧化应力与ＳｉＯ２膜的电击性和固定电荷密度的关系。
退火对硅中氧化应力及SiO2膜电特性的影响
【摘 要】
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利用红外激光光弹测量系统和森纳蒙特补偿法，测量了硅中的氧化应力；研究了中间退火和后退火条件对硅中氧化应力的影响，以及氧化应力与ＳｉＯ２膜的电击性和固定电荷密度的关系。
【机 构】
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华南理工大学应用物理系
【出 处】
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华南理工大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1995年12期
【基金项目】
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广东省自然科学基金
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