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随着社会科技的不断进步,半导体激光技术得到了有力的发展,极大的提高了半导体激光器各方面的性能,使其逐渐成为了众多领域当中使用最广泛的激光光源。并且针对大光腔结构同阈值电流密度增大的矛盾,设计出了具有势垒高度较高的三量子阱有源区。在此基础之上,本文将着重围绕大功率低阈值半导体激光器进行详细的探讨分析。