【摘 要】
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本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏（LDD）nMOSFET栅电压VG对栅致漏极泄漏（GIDL）电流ID的影响,发现不同VG下ln(ID/(VDG-1.2))-1/(VDG-1.2)
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本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏（LDD）nMOSFET栅电压VG对栅致漏极泄漏（GIDL）电流ID的影响,发现不同VG下ln(ID/(VDG-1.2))-1/(VDG-1.2)曲线相比大尺寸厚栅器件时发生了分裂现象.通过比较VG变化下ln(ID/VDG-1.2))的差值,得出VG与这种分裂现象之间的作用机理,分裂现象的产生归因于VG的改变影响了GIDL电流横向空穴隧穿部分所致.随着|VG|的变小,ln(ID/(VDG-1.2))曲线的斜率的绝对值变小.进一步发现不同VG对应的1n(ID/(VDG-1.2))曲线的斜率c及截距d与VG呈线性关系,c,d曲线的斜率分别为3.09和-0.77.c与d定量的体现了超薄栅超短沟器件中VG对GIDL电流的影响,基于此,提出了一个引入VG影响的新GIDL电流关系式.
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