【摘 要】
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新竹讯：力旺电子日前宣布完成0．15μm高电压制程之Neobit硅智财的技术开发。力旺电子的嵌入式非挥发性内存Neobit硅智财已广泛地建置于组件制造整合厂（IDM）与晶圆代工厂高压制程
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新竹讯：力旺电子日前宣布完成0．15μm高电压制程之Neobit硅智财的技术开发。力旺电子的嵌入式非挥发性内存Neobit硅智财已广泛地建置于组件制造整合厂（IDM）与晶圆代工厂高压制程平台之上，其涵盖了0．6μm、0．5μm、0．35μm、0．25μm、0．22μm、0．18μm与0．15μm的制程技术。
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