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测量了生长在(311)A面GaAs衬底上的In0.55Al 0.45As/Al0.5Ga0.5As自组织量子点光致发光谱,变激发功率和压力实验 证明发光峰是与X能谷相关的Ⅱ型发光峰,将它指认为从Al0.5Ga0.5As势垒X能 谷到In0.55Al0.45As重空穴的Ⅱ型跃迁.高温下观察到的高能峰随压力增大向 高能方向移动,认为它来源于量子点中Γ能谷与价带之间的跃迁.在压力下还观察到了一个新 的与X相关的发光峰,认为它与双轴应变引起的导带X能谷劈裂有关.