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英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC^TM MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。
英飞凌推出1200V碳化硅MOSFET技术提升电源转换设计效率和性能
【摘 要】
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英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC^TM MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它
【出 处】
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电源技术应用
【发表日期】
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2016年5期
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