【摘 要】
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忆阻器是具有时间记忆特性的非线性电阻.经典HPTiO2忆阻器模型的忆阻值为此前通过忆阻器电流的时间积分,即记忆没有损失.而最近研究证实HPTiO2线性忆阻器掺杂层厚度不能等于
【机 构】
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南京航空航天大学机械结构力学与控制国家重点实验室,常州大学数理学院,解放军理工大学理学院
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：11372354）资助的课题
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忆阻器是具有时间记忆特性的非线性电阻.经典HPTiO2忆阻器模型的忆阻值为此前通过忆阻器电流的时间积分,即记忆没有损失.而最近研究证实HPTiO2线性忆阻器掺杂层厚度不能等于零或者器件整体厚度,导致器件的记忆有损失.基于此发现,本文首先提出了一个阶数介于0与1间的分数阶HPTiO2线性忆阻器模型,研究了当受到周期外激励时,分数阶导数的阶数对其忆阻值动态范围和输出电压动态幅值的影响规律,推导出了磁滞旁瓣面积的计算公式.结果表明,分数阶导数阶数对磁滞回线的形状及所围成区域面积有重要影响.特别地,在外激频率大于
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