【摘 要】
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利用原子层沉积方法制备了高介电常数材料（HfO2）0.8（Al2O3）0.2薄膜基电荷俘获型存储器件,并对器件的电荷存储性能做了系统研究.利用高分辨透射电子显微（HRTEM）技术表征了（HfO2）0.8（Al2
【机 构】
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安阳师范学院物理与电气工程学院,南京大学材料科学与工程系,河南大学物理与电子学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(50972054);河南省教育厅科学技术研究重点项目(13A140021)
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利用原子层沉积方法制备了高介电常数材料（HfO2）0.8（Al2O3）0.2薄膜基电荷俘获型存储器件,并对器件的电荷存储性能做了系统研究.利用高分辨透射电子显微（HRTEM）技术表征了（HfO2）0.8（Al2O3）0.2薄膜的形貌、尺寸及器件结构.采用4200半导体分析仪测试了存储器件的电学性能.研究发现,存储器件在栅极电压为±8V时的存储窗口达到3.5V;25℃,85℃和150℃测试温度下,通过外推法得到,经过10年的数据保持时间,存储器件的存储窗口减小量分别为17%,32%和48%;（Hf
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