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由铝在15A%硫酸介质中进行电化学氧化而得到的多孔A12O3是制备有序纳米线阵列的一种好的样模材料。在该样模中电沉积的有序Ni纳米线阵列排布规则、有序。磁滞回线 测量表明长径比为400的Ni纳米线阵列在垂直于A12O3表面方向(即平行于Ni 纳米线方向)的矫顽力为831Oe,矩形度达0.91,具有显著的磁单轴各向异性和磁单 轴各向异性和磁单畴特性。