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研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV，剂量为2×10^16cm^-2的碳离子注入后的外延单晶硅片，在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提，并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。