裂解酞菁铁和乙烯制备取向碳纳米管阵列

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采用热化学气相沉积(TCVD)法裂解酞菁铁(FePc)和乙烯(C2H4)制备出高210μm的取向碳纳米管阵列(ACNTA).用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱和X射线光电子能谱(XPS)对制备的样品进行了表征,系统研究了反应温度、反应时间、C2H4流量对ACNTA生长的影响.结果表明,样品具有高取向性且纯度高.800℃是裂解FePc和C2H4制备ACNTA的最优温度,催化剂的活性可以保持较长时间(60 min),通入C2H4促进了ACNTA的快速生长,最适合流量为50 cm^3
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