【摘 要】
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本文研究了有机硅膜经等离子体处理和等离子体聚合沉积后,气体透过性能的变化。以及放置一段时间后,随着等离子体处理效果的变化,膜的气体透过性能的改变。结果表明无论是Ar
【机 构】
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中国科学院化学研究所,中国科学院化学研究所
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本文研究了有机硅膜经等离子体处理和等离子体聚合沉积后,气体透过性能的变化。以及放置一段时间后,随着等离子体处理效果的变化,膜的气体透过性能的改变。结果表明无论是Ar等离子体处理的有机硅膜,还是八甲基环四硅氧烷(D_4)等离子体聚合沉积的有机硅膜,其气体透过性能都发生了明显的变化。即经等离子体处理后,膜的气体透过系数下降,选择分离系数上升。在放置一段时间后,其气体透过系数和选择分离系数均表现出有回复的趋势。因此,等离子体处理对膜的气体透过性能的影响随放置时间而变化。
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