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<正> 一、前言锑化物是一种能带窄、迁移率高的弱离子键半导体化合物。不仅对目前所迫切需要的波长区间为1.3~1.7μm的光通讯,微波器件和红外探测器有重要的应用,而且对未来波长在2—4μm的重金属氟化物的光通讯有特别重要的作用。因为在这种含氟的材料中的光损耗比在SiO2材料中减少1~2个量级,而在这种材料中损耗最小的光波又在2~4μm范围,以GaSb或InAs为衬底生长