【摘 要】
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MOS器件栅氧化层,是在有氯源1,1,1三氯乙烷(TCA)的条件下生长的。本文已给出击穿电压(BV)与TCA克分子浓度的关系曲线。为了考察用三氯乙烷代替三氯乙烯(TCE)是否适合,将上述
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MOS器件栅氧化层,是在有氯源1,1,1三氯乙烷(TCA)的条件下生长的。本文已给出击穿电压(BV)与TCA克分子浓度的关系曲线。为了考察用三氯乙烷代替三氯乙烯(TCE)是否适合,将上述结果与同样条件下生长的三氯乙烯氧化层进行了比较。业已发现,击穿电压强烈地依赖于三氯乙烷和三氯乙烯的克分子浓度。在p型硅上的TCA/TCE氧化层击穿电压与TCA/TCE克分子浓度的关系曲线上,存在一个峰值。此外,在n型硅中,TCA氧化层具有比TCE氧化层相对稳定的击穿电压BV。
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