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对设计制作的3mm间隙共面型GaAs光导开关进行了耐压试验研究。试验中比较了光导开关的静态绝缘电阻、暗电流和击穿电压之间的关系，发现在1kV时暗电流不高于3μA的光导开关在试验中击穿电压都在12kV左右，这为试验前评价光导开关的耐压性提供了参考依据。采用不同方式对光导开关进行了绝缘保护，并结合介质击穿理论对试验结果进行了分析，结果表明：绝缘保护可以有效提高耐压特性，绝缘强度达4kV／mm。