【摘 要】
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以碳化硅(SiC)和金刚石为原料,以氧化铝和氧化钇为烧结助剂,在1850℃保温1 h无压烧结制备了SiC-金刚石陶瓷.研究了金刚石含量(质量分数分别为0、0.25％、0.5％、1.0％、2.5％、5％)对Si
【机 构】
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北方民族大学 材料科学与工程学院 宁夏银川750021
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以碳化硅(SiC)和金刚石为原料,以氧化铝和氧化钇为烧结助剂,在1850℃保温1 h无压烧结制备了SiC-金刚石陶瓷.研究了金刚石含量(质量分数分别为0、0.25％、0.5％、1.0％、2.5％、5％)对SiC-金刚石陶瓷性能的影响.结果表明:随金刚石含量(0.25％～5％(w))的增加,SiC-金刚石陶瓷的致密度逐渐下降,晶粒尺寸先增大后减小.当添加0.25％(w)的金刚石时,试样性能最好,其致密度、热导率和比热容分别为90.3％、83.2 W·m-1·K-1和0.71 J·g-1·K-1.
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