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Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料，具有广阔的应用前号，但是其生长存在许多困难，尤其是Sn易于分凝。采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝，但是所生长的材料的热稳定性都比较差。采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSnx合金．但是所用的Sn气体源难以获得。综述了Ge1-xSnx合金外延生长的研究进展。