LPS-Ⅱ激光稳功率仪

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在970 nm LD激发下,研究Tm3 ,Yb3 共掺的AlF3基(AYF,AZF)玻璃能量传递和上转换发光性质。发现对于Tm3 的浓度猝灭,蓝光跃迁比近红外荧光跃迁表现更明显;对476 nm蓝光跃迁,AYF和AZF玻璃Tm3 最佳掺杂浓度都为0.1 mol-%;而对793 nm的近红外跃迁,Tm3 最佳掺杂浓度为0.3~0.5 mol-%。AYF玻璃的Yb3 离子最佳掺杂浓
采用固相反应法、真空烧结制备了高光学质量的Ce:YAG (Ce:Y3Al5O12) 透明陶瓷,在可见光区的透射率大于80%。分别研究了不同Ce3 掺杂浓度(原子数分数分别为0.1%、0.3%、0.5%、1.0%)和不同厚度(0.5、1.0、2.0 mm)的Ce:YAG 陶瓷的流明效率,显色指数和色温等白光发光二极管(LED)性能,采用Ce:YAG 陶瓷和商业树脂进行LED 器件封装,获得了131.5 lm/W 的光效。结果表明,Ce:YAG 透明荧光陶瓷有望成为适合大功率LED 器件的荧光材料。
总结了F2分子激光器的实验与理论工作,讨论了该激光器的重要意义及应用,并展望了F2分子激光器的未来发展。
对熔石英材料的光学特性进行研究, 利用分光光度计得到了不同波长下元件的光透过率、吸收率及其变化规律。通过熔石英材料纳米压痕实验, 研究了熔石英材料的机械特性, 得到了熔石英晶体的弹性模量和材料硬度。研究了熔石英材料的断裂特性, 分析熔石英光学元件超精密加工亚表层损伤形成机理, 对亚表层损伤裂纹的结构、组成以及裂纹扩散的形成过程进行了分析和研究。利用纳米压痕实验, 模拟研磨加工时, 材料表面受单颗粒磨粒静态压印和动态冲击时形貌演变的过程, 得到了维氏硬度、断裂韧性及临界压力载荷。
采用水热法制备Cu2 离子共掺杂的β-NaYF4∶20%Yb3 , 2%Er3 上转换晶体。通过X射线衍射(XRD)及透射电子显微镜(TEM)数据分析, Cu2 离子的掺杂不影响样品的晶相与形貌。通过荧光光谱观察到, 随着Cu2 离子的掺杂摩尔分数从0增加到40%, 紫外到可见的上转换发光强度先增大再减小。在掺杂5%Cu2 离子时, β-NaYF4∶20%Yb3 , 2%Er3 晶体呈现出最大的上转换发光强度。这是因为低价态的Cu2 离子掺杂导致F-空位的产生, 降低了Er3 离子周围晶体场的对称性, 从
期刊
利用共沉淀法制备了纳米CaO∶Eu3 发光粉体。并对不同掺杂浓度和不同煅烧温度下所制备的CaO∶Eu3 粉体进行室温发光性质的研究。在室温下观测到CaO∶Eu3 样品具有较强的Eu3 离子特征发射。通过对不同煅烧温度下样品发射谱的对比,发现样品在591 nm和610 nm处的发射峰积分强度比随着煅烧温度的升高而降低,说明在不同的煅烧温度下,Eu3 占据了两种不同的格位。对样品强发射峰进行监测,可观测到样品中的O2-和Eu3 离子之间形成的电荷迁移态。通过对比不同掺杂浓度下Eu3 离子发射光谱,发现将Eu3
采用提拉法生长出了尺寸为φ30 mm×35 mm的Nd3 Ca9Y(VO4)7晶体,测得晶体中Nd3 离子的有效分凝系数为0.75,其粉末二阶非线性光学系数约为KDP的1.5倍,晶体的维氏硬度为362。光谱分析表明其809 nm处的吸收半峰全宽(FWHM)为13nm,吸收跃迁截面为1.50×10-19 cm2,适合采用GaAlAs激光二极管抽运;晶体的最强发射峰位于1069 nm,其发射跃迁截面为1.35×10-20 cm2,荧光寿命为103 μs。研究结果表明该晶体有望成为一种新的自倍频激光晶体。
本文提出脉冲氧碘化学激光主振荡器加功率放大器(MOPA)系统中放大器的理论模型。计算表明:氧碘放大器内采用折迭光路方案,可以获得高的放大率及化学效率。
利用一锅非注射合成法制备了Cu掺杂Zn-In-S/ZnS核/壳量子点白光LED(WLED),研究了量子点壳层厚度对其发光性能的影响。对比了几组绿光和橙光量子点比例不同的量子点WLED,测量了它们的国际照明委员会(CIE)色坐标、显色指数(CRI)、相关色温(CCT)和流明效率(LE)等各项性能参数,发现厚壳Cu∶Zn-In-S/ZnS核/壳量子点WLED的流明效率和显色指数均高于薄壳量子点WLED,且随着壳层厚度的增加,量子点的稳定性增强,流明效率增高。