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采用顶部籽晶(TSSG)法生长Er:Yb:KGW晶体.通过研究助熔剂的种类、组成与溶质的比例关系对晶体生长的影响,设计了合理的工艺条件:转速:30～40 r·min-1;拉速:1～2 mm·d-1;降温生长速率:0.05 ℃·h-1;降温速率:15 ℃·h-1;生长周期:15～20 d.通过对晶体缺陷的观察分析认为,晶体裂缝及包裹物等缺陷与生长工艺条件密切相关,应尽量减少生长过程中的温度、浓度及生长速度的波动,保持晶体的稳态生长.