热载流子应力下超薄栅p MOS器件氧化层陷阱电荷的表征(英文)

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：linan9348

【摘要】

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利用电荷泵技术研究了 4nmpMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为 .首先 ,对于不同沟道长度下的热载流子退化 ,通过直接的实验证据 ,发现空穴陷阱俘获特性与应力

【作者】

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杨国勇王金延霍宗亮毛凌锋谭长华许铭真

【机构】

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北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所,北京大学微电子学研究所北京100871,北京100871,北京100871,北

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2003年03期

【关键词】

：

MOS结构氧化层陷阱热载流子退化

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利用电荷泵技术研究了 4nmpMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为 .首先 ,对于不同沟道长度下的热载流子退化 ,通过直接的实验证据 ,发现空穴陷阱俘获特性与应力时间呈对数关系 .然后对不同应力电压、不同沟道长度下氧化层陷阱电荷 (包括空穴和电子陷阱俘获 )的产生做了进一步的分析 .发现对于 pMOSFET的热载流子退化 ,氧化层陷阱电荷产生分两步过程 :在较短的应力初期 ,电子陷阱俘获是主要机制 ;而随着应力时间增加 ,空穴陷阱俘获作用逐渐显著 ,最后主导了氧化层陷阱电荷的产生 .

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