【摘 要】
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采用等离子辅助热丝化学气相沉积(PAHFCVD)装置进行了金刚石薄膜、碳化钛/金刚石复合膜、掺硼金刚石薄膜的制备.制备条件分别为:V(CH)4:V(H2)=3:100,载气流量5～50 cm3·s-
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采用等离子辅助热丝化学气相沉积(PAHFCVD)装置进行了金刚石薄膜、碳化钛/金刚石复合膜、掺硼金刚石薄膜的制备.制备条件分别为:V(CH)4:V(H2)=3:100,载气流量5～50 cm3·s-1,钛源钛酸异丙酯(Ti[OC3H 7]4),硼源硼酸三甲酯(BC3O4H9),基体温度820～860℃,基体偏压300V,沉积气压4 kPa.运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和能量扩散电子谱(EDX)等分析手段对PAHFCVD金刚石膜、金刚石复合膜和掺硼金刚石膜进行了表征.结果发现
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