MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜

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利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率A1N/GaN分布布拉格反射镜(DBR)。利用分光光度计测量,在418nm附近最大反射率达到99%。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3.3nm左右。样品的截面扫描电镜(SEM)照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求。
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