【摘 要】
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采用Bridgman法生长CdZnTe晶体.分别采用红外透过显微镜和正电子湮灭寿命谱仪研究了CdZnTe晶体中的Te夹杂相、Cd空位等缺陷与坩埚中的自由空间量大小的关系.结果表明：随着坩埚
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,中国科学技术大学物理学院
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采用Bridgman法生长CdZnTe晶体.分别采用红外透过显微镜和正电子湮灭寿命谱仪研究了CdZnTe晶体中的Te夹杂相、Cd空位等缺陷与坩埚中的自由空间量大小的关系.结果表明：随着坩埚自由空间量的减小,晶体中Te夹杂相密度从6.67×104/cm2降低到2.36×103/cm2,且Te夹杂相尺寸减小;晶体的正电子平均寿命值随着坩埚自由空间量的减小从325.4 ps降低到323.4 ps,表明晶体的Cd空位浓度及微结构缺陷减少;晶体的红外透过率和电阻率则随着坩埚自由空间量的减小大幅提
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