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应用一维化方法和有效质量近似计算了在垂直于界面的磁场作用下量子阱内类氢杂质基态和低激发态的束缚能,并考虑到GaAs和GaAlAs中电子具有不同的有效质量和不同的介电常数,所得计算结果与实验较好相符。 量子阱;;超晶格;;GaAs;;GaAlAs
垂直磁场中GaAs—Gd1—xAlxAs量子阱内类氢杂质束缚能计算
【摘 要】
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应用一维化方法和有效质量近似计算了在垂直于界面的磁场作用下量子阱内类氢杂质基态和低激发态的束缚能,并考虑到GaAs和GaAlAs中电子具有不同的有效质量和不同的介电常数,所
【机 构】
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HebeiTeacher',sUniv
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1990年9期
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