【摘 要】
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本文采用化学共沉淀法,以SnCl4·5H2O、SbCl3等为原料包覆微纳米TiO2,制备了电导率良好的导电粉体。采用红外光谱（FT-IR）、X射线粉末衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）等对表面包覆前
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本文采用化学共沉淀法,以SnCl4·5H2O、SbCl3等为原料包覆微纳米TiO2,制备了电导率良好的导电粉体。采用红外光谱（FT-IR）、X射线粉末衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）等对表面包覆前后的微纳米TiO2结构进行了表征。结果表明,锑原子置换了氧化锡中的锡原子形成缺陷固溶体,主要以物理吸附的方式吸附在TiO2表面,也可能存在化学吸附,形成Ti-O-Sn键。通过测量粉体的电阻率表征粉体的导电性能,对比试验结果可得：当pH为1.5,煅烧温度为500℃,SnCl4·5H2O/Ti
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