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本文报道了用于制造超高速集成电路的0.1μm栅长InP基HEMT器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的T型栅技术。作为该技术应用于集成电路的例子,本文描述了一个噪声系数为2.6dB的50GHz低噪声放大器和一个增益为9dB,带宽为60GHz的分布基带放大器。本文还讨论了挖槽终止层的使用以进一步提高挖槽的重复性。