【摘 要】
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分析了存在于高压SOI PLDMOS器件中的寄生双沟道效应的产生机理,并提出了改进型的新结构。该结构有效地抑制了SOI PLDMOS器件的寄生双沟道效应,不但显著提高了器件的击穿电压
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
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分析了存在于高压SOI PLDMOS器件中的寄生双沟道效应的产生机理,并提出了改进型的新结构。该结构有效地抑制了SOI PLDMOS器件的寄生双沟道效应,不但显著提高了器件的击穿电压,同时还改善了器件可靠性。借助二维器件仿真分析了器件耐压与电场分布和器件结构的关系。模拟结果表明,该结构使器件耐压由传统结构的109 V提高到213 V,突破了传统SOI PLDMOS器件的耐压值,明显地改善了器件特性。
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