Si(001)表面分子束外延生长的小尺寸Ge量子点

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通过调节生长参数,在Si(001)衬底表面利用分子束外延(MBE)方法生长得到尺寸小于10 nm的高密度Ge量子点.扩展的X射线吸收精细结构(EXAFS)的研究结果表明,在500℃和550℃制备的小尺寸量子点内,GeSi合金的含量分别为75%和80%.经热力学分析,在量子点生长完成后的退火过程中,可能存在Si原子从衬底表面向量子点表面扩散,并和Ge原子通过表面偏析发生混合的过程.另一方面,小尺寸量子点较高的高宽比,也会导致形成较高含量的GeSi合金.
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