【摘 要】
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阻挡杂质带(Blocked Impurity Band, BIB)探测器是从杂质带光电导(Impurity Band Conduction, IBC)探测器发展而来,利用杂质能级上的电子跃迁,可以探测光子能量远小于半导体禁带宽度的低能光子. BIB探测器的探测波长主要由衬底和掺杂杂质决定,可以覆盖5–300μm波段范围.得益于探测波长长、探测率高和抗辐射性好等优点, BIB探测器自问世以来就一直被
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;上海科技大学物质科学与技术学院,上海201210;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实
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阻挡杂质带(Blocked Impurity Band, BIB)探测器是从杂质带光电导(Impurity Band Conduction, IBC)探测器发展而来,利用杂质能级上的电子跃迁,可以探测光子能量远小于半导体禁带宽度的低能光子. BIB探测器的探测波长主要由衬底和掺杂杂质决定,可以覆盖5–300μm波段范围.得益于探测波长长、探测率高和抗辐射性好等优点, BIB探测器自问世以来就一直被大量研究,广泛应用于各种大型天文基红外探测平台上.目前, Si基BIB探测器发展迅速,但是Ge基和GaA
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