论文部分内容阅读
用冷等静压制多晶料棒通过高温固相法制备Gd2SiO5∶Eu^3+粉末,并使用光学浮区法制得晶体。对其进行微观组织结构及光谱性能测试,XRD分析表明,晶体生长方向为[001]方向;摇摆曲线和Raman分析均表明其结晶状况比粉末、料棒更好;晶体无宏观和微观缺陷;EDS及XPS分析表明晶体中无杂质成分,且XPS谱中可以观测到Gd3d5/2、Eu4d5/2光电子峰劈裂,分别对应7配位和9配位离子。UV-Vis低温吸收谱中存在Eu^3+-O^2-电荷转移吸收带和Gd^3+4f-4f电子跃迁吸收(6D/I/PJ→8S