【摘 要】
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提出了一种埋部分P＋层的背栅SOI（Buried Partial P＋layer SOI,BPP＋SOI）高压器件新结构.部分P＋层的引入不仅有效地增强了源端埋氧层电场,而且还降低了源端PN结表面电场,使器件击穿电
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提出了一种埋部分P＋层的背栅SOI（Buried Partial P＋layer SOI,BPP＋SOI）高压器件新结构.部分P＋层的引入不仅有效地增强了源端埋氧层电场,而且还降低了源端PN结表面电场,使器件击穿电压随背栅压的增加而大幅增加,比导通电阻也显著降低.仿真结果表明,在漂移区长度为150μm,背栅压为650V时,BPP＋SOI的耐压较常规结构提高了84.9%;在漂移区为120μm,耐压相同的情况下,BPP＋SOI的比导通电阻较常规结构降低了31%.
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