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中芯国际日前宣布，自2007年12月与IBM签订45纳米低功耗和高性能bulk CMOS技术许可协议不到一年，其第一批45纳米产品已成功通过良率测试，标志着其45纳米工艺进入一个新的里程。
中芯国际首批45纳米芯片验证成功
【摘 要】
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中芯国际日前宣布，自2007年12月与IBM签订45纳米低功耗和高性能bulk CMOS技术许可协议不到一年，其第一批45纳米产品已成功通过良率测试，标志着其45纳米工艺进入一个新的里程。
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2009年1期
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