RF溅射淀积Ce∶YIG磁光薄膜的热处理结晶化研究

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基片温度低于溅射外延条件,采用低溅射功率密度磁控溅射沉积,进行后期热处理结晶晶化,制备出膜厚为300nm的掺铈钇铁石榴石Ce:YIG磁光薄膜。对热处理前的的磁光特性进行比较,并分析了热处理结晶化过程中附属相的变化。薄膜在空气中热处理结晶化过程中附属相的变化。薄膜在空气中热处理结晶化温度在650℃附近。热处理后,室温上633nm处其法拉第旋转系数约为1.9×10^4deg/cm,光吸收系数为2500
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