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采用线性组合算符和变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量，推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式，并以AgCl／AgBr晶体为例进行了数值计算。结果表明，轻空穴激子的自陷能不仅与激子的坐标；有关，而且电子一空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著；轻空穴激子和重空穴激子的诱生势不仅与电子一空穴间距离ρ有关，而且激子距离晶体界面的位置；对诱生势的影响也十分显著。