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采用不同厚度的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为栅绝缘层，制备了并五苯有机场效应晶体管（OFET）。测量了不同厚度的PMMA的介电特性，并详细分析了栅绝缘层厚度对器件性能的影响。其中，采用260nm厚的PMMA栅绝缘层的OFET具有比采用其它厚度的器件更优越的性能，其场效应迁移率、阈值电压与开关电流比分别达到3．39×10^-3cm2／Vs、-19V和10^3。