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利用两步法金属辅助化学刻蚀（MACE）法制备硅纳米线（SiNWs）样品。研究了双氧水（H2O2）浓度对SiNWs样品形貌、生长速率以及发光特性的影响。发现随着H2O2浓度的增加，SiNWs样品生长速率随之提高，同时出现了位于685nm附近较宽的来源于多孔硅结构的光致发光峰。实验结果表明，多孔硅结构的形成与银离子（Ag＋）通过扩散作用在SiNWs样品侧壁重新沉积有关。