论文部分内容阅读
基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证。通过TCAD工具建立工具流,在300~400 K温度下,实现对45nm CMOS器件I-V特性的模拟,以观察器件在一定温度范围内的特性曲线。通过与工艺文件对比表明,在25℃~127℃范围内,45nm CMOS器件的电特性能够保持一定的稳定性。