Mg_2Si_(0.55-x-y)Sn_4Ge_xSb_y的热电性能

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N.Vlachos等人采用低温化学反应、球磨及热压等方法制造Mg_2Si_(0.55-x-y)Sn_4Ge_xSb_y化合物(x≤0.20,y≤0.017 5),制出了2种化合物:(1)Mg_2Si_(0.55)_ySn_(0.4)Ge_(0.05)Sb_y,0≤y≤0.017 5;(2)Mg_2Si_(0.587 5-x_Sn_(0.4)Ge_xSb_(0.012 5),0≤x≤0.20。对这2种化合物进行结构和热电性能研究。采用X-射线衍射、扫描电镜及透射电 N.Vlachos et al. (2) prepared Mg_2Si_ (0.55-xy) Sn_4Ge_xSb_y compounds (x≤0.20, y≤0.017 5) by low temperature chemical reaction, ball milling and hot pressing. (0.4) Ge_ (0.05) Sb_y, 0≤y≤0.017 5; (2) Mg_2Si_ (0.587 5-x_Sn_ (0.4) Ge_xSb_ (0.012 5), 0≤x≤0.20. The structures and thermoelectric properties of these two compounds Performance studies using X-ray diffraction, scanning electron microscopy and transmission
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