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通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经高强度光辐照过的a-Si/μc-Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析.结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si:H(与μc-Si:H)中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si:H薄膜中电场强度.在光照射下,空间电荷效应不会给a-Si/μc-Si叠层结构中的a-Si:H薄膜带来准中性区(低场"死层"),因而没有发生a-Si/μc-Si叠层太阳能电池顶电池(a-Si;Hp-i-n)的光诱导性能衰退.a-Si/μc-Si叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性.