【摘 要】
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在1 280℃下,采用传统固相反应法制备出Pb（Sn0.5Nb0.5）O3-Pb（Ni1/3Nb2/3）O3-Pb[ZrxTi（1-x）]O3（PSN-PNN-PZT,质量分数x=0.42,0.43,0.44,0.45）压电陶瓷。研究了不同的x对PSN-PNN-PZT压
【机 构】
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贵州大学材料与冶金学院,贵州振华新云电子元器件有限公司
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在1 280℃下,采用传统固相反应法制备出Pb（Sn0.5Nb0.5）O3-Pb（Ni1/3Nb2/3）O3-Pb[ZrxTi（1-x）]O3（PSN-PNN-PZT,质量分数x=0.42,0.43,0.44,0.45）压电陶瓷。研究了不同的x对PSN-PNN-PZT压电陶瓷的相结构、显微组织形貌及电学性能的影响。结果表明,当x=0.43时,样品为单一的钙钛矿结构,存在准同型相界,并且晶粒饱满,晶界清晰,颗粒大小均匀,综合电学性能达到最优,压电常数d33=625pC/N,介电常数εr=3 005,介电损耗
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