【摘 要】
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绝缘衬底上的硅（SOI）技术被誉为”21世纪的微电子技术”。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等。该文对注氧隔离、键合再减薄、键合和注人相结合及外延层转
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绝缘衬底上的硅（SOI）技术被誉为”21世纪的微电子技术”。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等。该文对注氧隔离、键合再减薄、键合和注人相结合及外延层转移等SOI的几种主流制备技术进行了概述，着重介绍了SOI在抗辐照、耐高温等高性能专用电路、光电子、微机械方面以及三维集成电路等领域的主要应用，最后讨论了近几年来SOI技术研究和发展的新动向。
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