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使用反应磁控溅射技术在W18Cr4V高速钢基体表面制备W-C梯度过渡层（WCGC）,采用热丝化学沉积法（HFCVD）,以甲烷和氢气为反应气体,在基体表面生长金刚石膜。采用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、X射线衍射仪（XRD）和激光拉曼光谱（Raman）对W-C过渡层和金刚石膜进行检测分析,研究热丝辐射距离和沉积气压对WCGC与金刚石膜的的影响。结果表明：热丝辐射距离对金刚石薄膜和WCGC均有较大影响;WCGC过渡层能够在一定热丝辐射范围内降低Fe在金刚石膜沉积过程的负面影响,有效提高金刚石的形核率,