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使用有机硅酸盐玻璃(OSG)在铜制程中作为低介电系数的介电层,使得化学机械研磨(CMP)后的晶圆清洗成为一大挑战.由于OSG的甲醇高含量会形成疏水性的表面,而难以用水溶液来湿润它的表面.添加界面活性剂可以改善此问题,但也提高了有机物污染的风险.此外,水痕可能会使检测机台无法侦测出影响良率的缺陷.在这篇文章中,使用数种用于化学机械研磨后的清洗剂尝试解决这些问题.