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宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体GaN是最近研究比较活跃的半导体材料系,其高亮度发光二极管一出现即引起广泛的关注,并以惊人的速度实现了商品化.文章就GaN基半导体二极管的研制和发展概况,应用和市场前景,以及近期研究热点作了介绍.
GaN基发光二极管研究与进展
【摘 要】
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宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体GaN是最近研究比较活跃的半导体材料系,其高亮度发光二极管一出现即引起广泛的关注,并以惊人的速度实现了商品化.文章就GaN基半导体二极管的研制和
【机 构】
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浙江大学信息与电子工程学系
【出 处】
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光电子技术
【发表日期】
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2003年2期
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