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针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要，研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀.得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气体流量、射频功率的关系曲线.得到了不加磁场时不同刻蚀气体流量下钨的刻蚀速率，以及在刻蚀气体中掺杂不同比例氧气时硅的刻蚀速率.对上述结果加以简单的讨论并给出了符合工艺要求的刻蚀条件.