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在提出0．18μm射频SOI LDMOS功率器件研究方法的基础上，对工艺进行了设计，并制备了栅宽为1200μm，栅长为0．7μm，漏的注入区与栅的距离为1．5μm的0．18μm射频SOI LDMOS功率器件。对器件进行了测试和模拟，在工作频率为3GHz，直流偏置电压VDs为3V，VGS为1．5V，输入功率Pin为5 dBm时，Pout、增益和PAE分别为15 dBm、10dB和35％。