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集中的离子横梁(小谎) milling Si3N4 薄电影的损坏性质被 nanoholes 的详细分析图象和蒙特卡罗的模拟调查。在为在各种各样的参数下面的二不同离子种(镓和砷) 的 Si3N4 薄电影的损坏深度(离子精力,入射角) 被蒙特卡罗调查方法。模拟显示出深度与增加的离子精力增加的损坏,损坏深度依赖于事件离子的角度,为 Ga 离子并且作为在 30 keV 的离子的损坏深度的曲线将近迭加,当为有 90 keV 离子的 Ga 的损坏深度多于那为时作为有一样的精力的离子。