【摘 要】
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本文针对衬底正偏的MOSFET的解析模型进行了讨论.在已有MOSFET理论基础上,仅引入一个参数ξ,便得到了全偏压范围的MOSFET的解析表达式的通式.当ξ=1时,该表达式与已知的衬底负偏的MOSFET的表达式相同;当ξ=0.8时,可
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本文针对衬底正偏的MOSFET的解析模型进行了讨论.在已有MOSFET理论基础上,仅引入一个参数ξ,便得到了全偏压范围的MOSFET的解析表达式的通式.当ξ=1时,该表达式与已知的衬底负偏的MOSFET的表达式相同;当ξ=0.8时,可得到衬底正偏的MOSFET的近似解析式.实验结果验证了该模型的正确性.
This paper discusses the analytical model of the forward bias MOSFET. Based on the existing MOSFET theory, only one parameter ξ is introduced to obtain the general expression of the analytic expression of MOSFET in the full bias range. When ξ = 1, the expression is the same as the known MOSFET with negative substrate bias. When ξ = 0.8, the approximate analytic formula of the forward-biased MOSFET can be obtained. The experimental results verify the correctness of the model.
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